三星发布下一代HBM3E DRAM，Shinebolt引领AI数据中心革新

　　10月21日消息，三星公司在今天的储存技术日活动上隆重亮相，发布了一系列新品，其中包括了下一代HBM3E DRAM，被命名为“Shinebolt”，旨在满足下一代AI数据中心的应用需求。

　　据本站了解，三星公司表示，“Shinebolt” HBM3E DRAM的每个引脚速度高达9.8Gbps，这将带来惊人的1.2 TBps传输速率，这一突破性的技术将有望降低数据中心的总拥有成本(TCO)，并显著提高AI模型的训练和推理任务效率。

　　为了实现更多的层数堆叠以及改善散热效能，三星公司还对非导电薄膜(NCF)技术进行了优化，这将减少芯片层之间的间隙，并最大限度地提高导热性能。

　　除了“Shinebolt”，三星公司还在现场宣布，其8H和12H HBM3产品目前正在大规模生产中，而“Shinebolt”的样品也已经开始向客户发货。作为半导体领域的综合解决方案提供商，三星计划为客户提供定制的一站式服务，将下一代HBM、先进封装技术和代工产品有机结合。

　　此次活动中，三星公司还亮相了其他多款新品，其中包括具有业界最高容量的32Gb DDR5 DRAM，以及业界首款32Gbps GDDR7。此外，他们还介绍了PB级PBSSD，该产品显著提升了服务器应用程序的存储能力，为数据中心提供更强大的支持。