10月21日消息,三星公司在今天的储存技术日活动上隆重亮相,发布了一系列新品,其中包括了下一代HBM3E DRAM,被命名为“Shinebolt”,旨在满足下一代AI数据中心的应用需求。

  据本站了解,三星公司表示,“Shinebolt” HBM3E DRAM的每个引脚速度高达9.8Gbps,这将带来惊人的1.2 TBps传输速率,这一突破性的技术将有望降低数据中心的总拥有成本(TCO),并显著提高AI模型的训练和推理任务效率。

  三星发布下一代HBM3E DRAM,Shinebolt引领AI数据中心革新

  为了实现更多的层数堆叠以及改善散热效能,三星公司还对非导电薄膜(NCF)技术进行了优化,这将减少芯片层之间的间隙,并最大限度地提高导热性能。

  除了“Shinebolt”,三星公司还在现场宣布,其8H和12H HBM3产品目前正在大规模生产中,而“Shinebolt”的样品也已经开始向客户发货。作为半导体领域的综合解决方案提供商,三星计划为客户提供定制的一站式服务,将下一代HBM、先进封装技术和代工产品有机结合。

  此次活动中,三星公司还亮相了其他多款新品,其中包括具有业界最高容量的32Gb DDR5 DRAM,以及业界首款32Gbps GDDR7。此外,他们还介绍了PB级PBSSD,该产品显著提升了服务器应用程序的存储能力,为数据中心提供更强大的支持。